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嘉儀通霍爾效應測試儀：助力氧化鎵單晶產業突破
- 分類： 品牌故事
- 作者：管理員
- 來源：本站
- 發布時間：2025-03-26
- 訪問量： 1851
【概要描述】2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世，標志著中國半導體···
嘉儀通霍爾效應測試儀：助力氧化鎵單晶產業突破
【概要描述】2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世，標志著中國半導體···
- 分類： 品牌故事
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2025年3月5日，杭州鎵仁半導體有限公司宣布全球首顆8英寸氧化鎵單晶襯底成功問世，標志著中國半導體產業在第四代材料領域實現跨越式突破。作為鎵仁半導體的核心合作伙伴，?武漢嘉儀通科技有限公司?憑借自主研發的霍爾效應測試儀HET系列，為其氧化鎵單晶產品提供了第三方檢測支持，以高精度、多維度的電學性能數據驗證了材料的產業化潛力?。
針對8英寸氧化鎵單晶襯底的導電型與UID兩種晶體，武漢嘉儀通（Jouleyacht）霍爾效應測試儀通過范德堡法同步測定了電阻率、載流子濃度等關鍵參數：
導電型晶體?：電阻率低至25mΩ·cm，載流子濃度達2.9×101? cm?1；
UID晶體?：電阻率高達664mΩ·cm，載流子濃度僅6.9×101? cm?1?。
武漢嘉儀通（Jouleyacht）子公司光谷薄膜為鎵仁半導體氧化鎵單晶襯底出具的檢測報告
?
氧化鎵作為超寬禁帶半導體，其電學性能的穩定性直接影響器件可靠性。嘉儀通霍爾效應測試儀通過以下應用場景為產業升級提供支撐：
材料篩選?：鑒別N/P型導電類型，評估晶體缺陷與摻雜均勻性?；
工藝監控?：實時反饋電阻率分布，指導單晶生長參數調整?；
器件設計?：提供遷移率與載流子濃度關聯數據，縮短芯片研發周期；
合作共贏：推動國產半導體生態建設。?
鎵仁半導體8英寸氧化鎵單晶的突破，不僅刷新了全球技術紀錄，更驗證了國產檢測設備的國際競爭力。武漢嘉儀通（Jouleyacht）霍爾效應測試儀憑借在GaN、SiC等寬禁帶材料領域的成熟經驗，持續為氧化鎵等第四代半導體產業化提供“中國方案”，助力構建從材料、設備到芯片的完整產業鏈?。
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