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08-22 2025 

冷熱臺(tái)聯(lián)用橢偏儀在薄膜材料光學(xué)特性中的應(yīng)用

橢偏儀（Ellipsometer）是一種基于橢圓偏振光與物質(zhì)相互作用規(guī)律的精密光學(xué)測(cè)量?jī)x器，主要用于分析材料表面及薄膜的物理光學(xué)性質(zhì)。然而，材料的光學(xué)性質(zhì)并非一成不變，溫度是影響其微觀結(jié)構(gòu)、電學(xué)性能和光學(xué)響應(yīng)的外部變量之一。為了深入研究材料···

08-06 2025 

微納尺度下的精密電學(xué)測(cè)試：探針臺(tái)與半導(dǎo)體參數(shù)儀在MEMS器件表征中的應(yīng)用

微機(jī)電系統(tǒng)（Micro-Electro-Mechanical Systems，簡(jiǎn)稱MEMS）是通過(guò)先進(jìn)的微納加工技術(shù)（包括光刻、刻蝕、薄膜沉積等工藝）制造的集成化微型系統(tǒng)。這類系統(tǒng)將機(jī)械結(jié)構(gòu)、傳感器、執(zhí)行器與電子電路等功能模塊高度集成于微米···

07-31 2025 

冷熱臺(tái)在變溫光致發(fā)光光譜（PL譜）研究中的應(yīng)用

光致發(fā)光光譜（PhotoluminescenceSpectroscopy,PL譜）是研究材料光學(xué)性質(zhì)的重要手段之一。材料的發(fā)光特性往往與溫度密切相關(guān)，因此，在變溫條件下測(cè)試PL譜，能夠更深入地理解材料的光物理機(jī)制，為優(yōu)化材料性能提供關(guān)鍵依據(jù)···

07-23 2025 

碳化硅材料+霍爾效應(yīng)測(cè)試的組合，正推動(dòng)SiC器件邁向高效可靠的未來(lái)

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，憑借其高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、優(yōu)異的熱導(dǎo)率和耐高溫性能，已成為功率電子、光電器件等領(lǐng)域的“明星材料”。氧化鋁鋅氧化物（AlZnO）薄膜的鍍層技術(shù)提供了一個(gè)提升SiC器件性能的新思路！AlZnO鍍層：SiC性能···

07-17 2025 

晶圓快速熱退火（RTA）工藝總結(jié)分享

一、晶圓退火工藝基本概念定義?：退火工藝，又稱熱退火（Thermal Annealing），是將晶圓放置在較高溫度環(huán)境中一定的時(shí)間，以改變其微觀結(jié)構(gòu)，達(dá)到特定工藝目的的過(guò)程。關(guān)鍵參數(shù)?：溫度和時(shí)間是退火工藝中的兩個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，溫度越高、時(shí)間越···

07-10 2025 

霍爾效應(yīng)測(cè)試對(duì)不同摻雜Ga?O?氧化鎵材料電特性精準(zhǔn)測(cè)試應(yīng)用

氧化鎵（Ga?O?）作為新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料，憑借其超高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、優(yōu)異的耐高溫性能以及出色的紫外光響應(yīng)特性，正成為高功率電子器件、深紫外光電器件等領(lǐng)域的研發(fā)熱點(diǎn)。精準(zhǔn)測(cè)試其電學(xué)特性（如載流子濃度、遷移率、電阻率等），也是材料研究與器···

07-04 2025 

霍爾效應(yīng)測(cè)試儀在GaN材料研究中激光器開發(fā)和生物傳感器優(yōu)化案例分享

氮化鎵（GaN）是一種性能優(yōu)異的寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其高電子遷移率、高擊穿電壓和良好的高溫穩(wěn)定性，被廣泛應(yīng)用于LED、電力電子、射頻通信和生物傳感器等領(lǐng)域。為了深入研究和優(yōu)化GaN材料的電學(xué)性能，霍爾效應(yīng)測(cè)試儀HET成為不可或缺的工具。&n···

06-24 2025 

什么是RTP快速熱處理？什么是RTA快速熱退火？有什么區(qū)別？

首先說(shuō)結(jié)論，RTP（Rapid Thermal Processing）是所有快速熱處理的統(tǒng)稱！但不限于：RTA（快速熱退火）、RTO（快速熱氧化）、 RTN（快速熱氮化）、合金化... ...RTP與RTA、RTO、RTN之間的聯(lián)系RTP設(shè)···

06-19 2025 

快速氧化退火爐RTO在集成電路制造快速氧化工藝中的應(yīng)用

在集成電路制造過(guò)程中，氧化工藝是形成高質(zhì)量二氧化硅（SiO?）薄膜的關(guān)鍵步驟。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，對(duì)氧化層的均勻性、致密度和表面質(zhì)量的要求日益提高。快速退火爐（RTP）作為一種高效的快速熱處理技術(shù)，在集成電路制造氧化工藝中發(fā)揮著重要作用。&···

06-12 2025 

打造零磁場(chǎng)變溫測(cè)試環(huán)境-磁場(chǎng)屏蔽冷熱臺(tái)方案

磁性材料或易受磁場(chǎng)影響的材料或器件，需要處于零磁場(chǎng)中測(cè)試。嘉儀通冷熱臺(tái)可利用磁屏蔽材料實(shí)現(xiàn)無(wú)磁場(chǎng)干擾下，進(jìn)行不同溫度的電性能測(cè)試。磁場(chǎng)屏蔽方案介紹零磁場(chǎng)環(huán)境：真空腔體噴涂地磁屏蔽涂料或者使用坡莫合金，實(shí)現(xiàn)零磁場(chǎng)屏蔽環(huán)境；低溫變溫···

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