手動(dòng)探針臺(tái)LNP-3RT

探針臺(tái)LNP-3RT為微米級(jí)小尺寸樣品電特性測(cè)試提供高精度、高接觸可靠性的可控測(cè)量環(huán)境。設(shè)備通過(guò)CMA中國(guó)計(jì)量認(rèn)證。

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手動(dòng)探針臺(tái)LNP-3RT特點(diǎn)

探針臺(tái)材質(zhì)升級(jí)：主體材質(zhì)航空級(jí)鋁材；卡盤材質(zhì)不銹鋼（可選鍍金），具備更小的接觸電阻，更低的漏電流；

探針臺(tái)臺(tái)體升級(jí)：自適應(yīng)減震臺(tái)體，帶標(biāo)準(zhǔn)地線，防止靜電干擾；

標(biāo)配精度高：卡盤X-Y行程精度1um，探針X-Y-Z行程精度1um；

快速升降操作：卡盤快速升降，便于快速分離探針；顯微鏡氣動(dòng)升降，便于更換物鏡和探針卡夾具；

標(biāo)配氣浮式位移臺(tái)：有效隔振，確保移動(dòng)過(guò)程平穩(wěn)，有效提升位移扎針精度；?

多種卡盤可選：可選配高低溫載片臺(tái)系統(tǒng)，同軸/三軸/鍍金卡盤可供選擇，滿足不同預(yù)算和多種應(yīng)用場(chǎng)景需求；

針座平臺(tái)升級(jí)：全新表面處理工藝，相比鍍鉻針座吸附力更強(qiáng)，提高測(cè)試精度，還可安裝探針夾具，兼容探針卡測(cè)試；

多種探針座可選：不同調(diào)節(jié)精度（0.5um/0.7um/1um）針座可選，DC直流或RF射頻探針座可選；

自帶完整高清成像系統(tǒng)：多種類型顯微鏡可選，帶高清CCD成像系統(tǒng)，可拍照，錄像，標(biāo)尺，可連接顯示器實(shí)時(shí)觀察；

快速拓展功能：可選配激光器進(jìn)行失效分析/激光切割/激光打標(biāo)；

手動(dòng)探針臺(tái)技術(shù)參數(shù)：

設(shè)備型號(hào)	LNP-3RT
卡盤大小	8英寸（可定制）
卡盤X-Y行程	200mm x 200mm
卡盤X-Y精度	1um
氣浮X-Y位移臺(tái)	標(biāo)配
卡盤Z軸行程	快速升降5mm，微調(diào)6mm
卡盤旋轉(zhuǎn)角度	粗調(diào)360°，精調(diào)±5°
探針X-Y-Z行程	12.5mm-12.5mm-12.5mm
探針X-Y-Z行程精度	1um
顯微鏡X-Y行程	2 英寸x 2 英寸
顯微鏡快速升降	快速升降50mm
顯微鏡類型	體式顯微鏡/正像顯微鏡/金相顯微鏡
CCD相機(jī)	2K清晰度（可拍照，錄像，標(biāo)尺）
探針座數(shù)量	最多6個(gè)（可定制）
卡盤吸附形式	環(huán)形或多孔真空吸附環(huán)
針座吸附方式	磁力吸附

應(yīng)用對(duì)象：晶圓（Si/Ge/GaAs/InP/SiC/GaN等）、芯片（邏輯/數(shù)字/模擬/存儲(chǔ)等）、集成電路、顯示面板（LED/OLED/LCD等）、功率器件（IGBT、MOSFET等）、納米器件、光電器件、分立器件（二極管、三極管、場(chǎng)晶體管等）、太陽(yáng)能電池等；

應(yīng)用方向：DC 直流/（IV、CV、漏電流）測(cè)試、介電溫譜測(cè)試、FA失效分析測(cè)試、器件表征測(cè)試、芯片線路測(cè)試、MEMS微型機(jī)電系統(tǒng)測(cè)試、集成電路工程、PCB元器件、WLR晶圓級(jí)可靠性、老化測(cè)試、RF 射頻測(cè)試、高精度電流（100fA 級(jí)）測(cè)試、高功率/大電流/高電壓測(cè)試、光電測(cè)試、1/f 噪聲測(cè)試等。

手動(dòng)探針臺(tái)聯(lián)用儀器：源表/數(shù)字電橋/半導(dǎo)體參數(shù)分析儀/數(shù)字萬(wàn)用表/示波器/網(wǎng)絡(luò)分析儀/頻譜分析儀/阻抗分析儀等，根據(jù)需求提供聯(lián)用方案！